關於東微半導公司

公司成立於2008年,是一家技術驅動型的半導體技術公司,在作爲半導體核心技術的器件領域有深厚的技術積累,專注半導體器件技術創新,擁有多項半導體器件核心專利。2013年下半年,東微半導體原創的半浮柵器件的技術論文在美國《科學》期刊上發表,標誌着國內科學家在半導體核心技術方向獲得重大突破,新聞聯播、人民日報等媒體均進行了頭條重點報道,引起了國內外業界的高度關注。公司是一家以高性能功率器件研發與銷售爲主的技術驅動型半導體企業,產品專注於工業及汽車相關等中大功率應用領域。公司的主要產品包括GreenMOS系列高壓超級結MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低壓屏蔽柵MOSFET、TGBT系列IGBT產品以及SiC器件(含Si2CMOSFET)。